REVIEW/Đánh giá - VSP Elite VS650D V4 650W

 

VSP vừa cho ra mắt dòng sản phẩm mới Elite VS650D V4 nhằm thay thế cho các dòng sản phẩm có công suất 650W đã và đang được kinh doanh tại thị trường Việt Nam như Elite VS650D và Elite V650P-V2/V3. Với một số cải thiện về mặt hiệu năng, khi được trang bị tính năng DC to DC và VSP cam kết hiệu suất hoạt động tối đa đạt 89%@230V. Ngoài ra chất lượng linh kiện cũng được "nâng cấp" khi sử dụng toàn bộ tụ hóa tới từ thương hiệu Nhật Bản. 

I- Hộp và Phụ kiện:
Hộp của dòng sản phẩm Elite VS650D V4 có kích thước trung bình gồm 2 lớp với tông màu đỏ đen khá ấn tượng. Các thông số kỹ thuật được in phía sau của lớp hộp carton phía bên trong 




Phụ kiện kèm theo gồm có: 1x dây nguồn chuẩn EU, 4x ốc bắt nguồn, 2x dây rút (zip tie), và 1 sách HDSD

II-PSU
1-Bên ngoài:

Elite VS650D V4 có kích thước ATX tiêu chuẩn, được sơn tĩnh điện màu đen và sử dụng quạt làm mát 120mm. Với thiết kế phần lưới che quạt làm mát tương tự các dòng sản phẩm Elite trước đây


Công suất danh định 650W. Single rail 12V@650W, Active PFC giải hẹp 180-240Vac, Hiệu suất tối đa VSP cam kết đạt 89%@230Vac

Hệ thống cáp dạng bẹ đen mềm gồm có:
1x 24pin MB: 50cm
2x 4+4pin ATX12V: 60cm
2x 6+2pin PCIe: 40cm + 15cm
4x SATA: 40cm + 15cm + 15cm
2x ATA: 40cm + 15cm + 15cm

2-Bên trong:
VSP tiếp tục chọn đối tác truyền thống là XinHai làm nhà sản xuất (OEM) cho sản phẩm Elite VS650D V4. Sử dụng Platform vừa mới ra mắt ít lâu với thiết kế Active PFC + Dual forward + Chỉnh lưu đồng bộ (SR) + DC to DC. 


Bảng linh kiện được sử dụng trên Elite VS650D V4:


Với mức công suất trên dưới 650W thì việc trang bị mạch EMI đầy đủ với 2 tầng lọc là sự đầu tư tốt để giảm thiểu xung nhiễu EMI thoát ra lưới điện bên ngoài, cũng như giảm thiểu xung nhiễu từ lưới điện dân dụng ( nếu có) tác động vào các thành phần "nhạy cảm" phía sau. 
Thành phần giảm dòng khởi động gồm NTC 5ohm mắc song song với rờ le được thiết kế đặt trước ngõ vào mạch lọc EMI của bộ nguồn


Diode cầu GBU2510(25A) được tản nhiệt trực tiếp từ quạt làm mát. Tụ chính Nhật Bản với thông số 390uF/420V có mức nhiệt độ chịu đựng tối đa đạt 105°C


Tầng Active PFC được trang bị 1 mosfet công suất lớn Reasunos RS25N50F đi kèm với boost diode 8A . Tầng PWM là sự xuất hiện của 1 cặp Mosfets khác cũng tới từ hãng Reasunos RS20N50F. Cả 2 tầng PFC và PWM đều nhận sự điều khiển của IC dao động champion CM6805BG. 

Ở khu vực chỉnh lưu đồng bộ cho đường 12V duy nhất trên Elite VS650D V4 là tổ hợp 4 Mosfets Silicon Power SP85N050P(4x 120A) đem lại hiệu suất hoạt động cao hơn thiết kế sử dụng các  Diode xung(Schottky diodes) truyền thống


Đường 5V và 3.3V được tạo ra từ 2 khối mạch VRM/DC to DC được hàn trực tiếp ở mặt trên(Top side) của bo mạch chính. Sử dụng giải pháp IC NDP23A5QB  tích hợp cả dao động điều khiển lẫn mosfet, giúp giảm chi phí sản xuất khi không cần quá nhiều linh kiện phụ trợ. Tuy nhiên giới hạn công suất của IC này chỉ là 18A (peak) và 15A (liên tục), vừa đủ cho các cấu hình máy tính tầm trung đổ lại 


IC giám sát hoạt động là loại Grenery GR8313F cung cấp 3 chế độ bảo vệ cơ bản OVP,UVP,SCP. Mạch cấp trước 5Vsb được tạo ra từ IC combo GR8141K. Các tụ hóa lọc DC ngõ ra đều đến từ hãng Toshin kogyo (Nhật Bản)

Phần mạch in của Elite VS650D V4 sạch sẽ , chân linh kiện được cắt gọn , mối hàn bóng tuân thủ tiêu chuẩn RoHS

III-Thử nghiệm:
1-Load testing ( Thử tải):

Nhằm đơn giản hóa bảng số liệu điện áp theo Test plan ATX3.0 từ Intel. Đường 12V nay sẽ chỉ còn 2 đường điện trong phép tử tải đối với nguồn Single rail
12V1: Mọi thứ tiêu thụ đường 12V trừ CPU (MB,PCIe,...)
12V2: Chỉ mình CPU (ATX12V/ESP12V)
Elite VS650D V4 hoàn thành tốt các mức tải với điện áp dao động trong chuẩn ATX yêu cầu. Do có trang bị tính năng DC to DC vì thế ở 2 mức tải không đồng đều. Điện áp vẫn giữ vững trong tiêu chuẩn. Hiệu suất tối đa đạt tới 89,62%@230Vac đúng như những gì phía VSP cam kết





2-Inrush current testing ( Dòng khởi động):
Dòng khởi động của Elite VS650D V4 đạt 78A, mức trung bình trong phân khúc 

3-Sync Transient response test ( Tải biến thiên): 
*Capacitance load: 3300uF per rails (12V1, 12V2, 5V, 3.3V, 5Vsb) 
  Slew rate: 12V: 5A/uS(12VHPWR) hoặc 2.5A/uS. 5V & 3.3V: 1A/uS . 5Vsb: 0.1A  ( theo intel ATX3.0 )
Tương tự các dòng sản phẩm giá rẻ khác ở phân khúc phổ thông Elite VS650D V4 cũng bị mắc kẹt lại ở đường 3.3V. tuy khoảng cách chỉ còn 0.03V


-50Hz Low load:


-50Hz High load:


-10kHz Low load:


-10kHz High load:


4-Ripple & Noise ( Nhiễu AC cao tần):
Ripple & Noise của Elite VS650D V4 đạt mức khá khi tối đa khoảng trên dưới 40mV cho cả 4 đường điện 







5-Hold-up time ( thời gian lưu điện)
Elite VS650D V4 có mức lưu điện thấp hơn tiêu chuẩn ATX một chút hầu như không đáng kể. Tuy nhiên tín hiệu Power_OK lại không thật sự chính xác


6-Protection features (Các chế độ bảo vệ):
Các chế độ bảo vệ trên Elite VS650D V4 hoạt động tốt và nhạy. Trừ 2 đường điện 5V và 3.3V  khi chế độ OCP được tính dựa vào khả năng chịu đựng tối đa của IC tích hợp để kích bảo vệ trước khi IC bị hư hỏng. thay vì sử dụng Rshunt để thiết lập định mức cắt dòng, tuy nhiên vẫn còn hơi trể 


7-Earth leak current ( Kiểm tra dòng rò) 
Đối với các thiết bị IT (Class I ) mà nguồn máy tính ATX là một trong số đó thì theo tiêu chuẩn an toàn yêu cầu dòng rò không được vượt quá 3,5mA tại áp cấp vào bằng ~110% điện áp tối đa mà nhà sản xuất công bố PSU có thể hoạt động đc ( ở đây sẽ là 110% của 240VAC tương đương khoảng 264VAC@60Hz). Để kiểm tra vấn đề này chúng ta sẽ sử dụng thiết bị chuyên dụng  GW instek GLC-9000  để đo dòng rò

8- Nhiệt độ làm việc và tốc độ quạt làm mát ( Temp & Fan RPM):
Điều kiện môi trường : 38-45°C
khu vực nóng nhất trên Elite VS650D V4 là ngõ ra biến áp chính và khu vực ngõ vào các mosfets chỉnh lưu đồng bộ chỉ trên dưới 70°C. 
Quạt làm mát sẽ giữ trạng thái quay trên dưới 1200rpm khi tải nhẹ và PSU chưa đủ nóng. Sau đó sẽ ngay lập tức tăng tốc khi tải được tăng cường tới khi đạt khoảng 2000rpm. 


Elite VS650D V4 sử dụng quạt làm mát VSP 12V 0.4A, Rifle bearing có tốc độ tối đa khoảng 2000rpm


IV-Kết luận:
VSP Elite VS650D V4 có chất lượng điện áp và chất lượng linh kiện khá tốt. Hiệu suất đạt tới 89,62%@230Vac như những gì phía VSP cam kết. Hệ thống cáp đa dạng với 2 đầu cấp nguồn CPU riêng biệt. So sánh với dòng sản phẩm Elite trước đây. Elite VS650D V4 có cải thiện lớn về chất lượng điện áp cũng như hiệu suất hoạt động khi sử dụng chỉnh lưu chủ động cho đường 12V thay vì thụ động dùng tổ hợp các diode xung, và nhất là được trang bị mạch DC to DC giúp sử dụng điện năng tối ưu hơn. PSU hoạt động khá mát đánh đổi lại là độ ồn tương đối cao khi full load liên tục.
Elite VS650D V4 là sự lựa chọn cho các cấu hình phổ thông và tầm trung sử dụng 01 VGA có công suất <230W
Ưu điểm:
-Sử dụng tụ điện Nhật Bản
-Chất lượng điện áp khá
-Hiệu suất đạt 89,62%@230Vac
-DC to DC (VRMs)
-Quạt Rifle Bearing
Khuyết điểm:
-Hoạt động ồn khi full load


-Xin cảm ơn VSP đã cung cấp sản phẩm review!

Comments

Post a Comment