REVIEW/Đánh giá - MIK C850G ATX3.0/PCIe5.0 850W

 

MIK thương hiệu case & nguồn tới từ Việt Nam. Vùa cho ra mắt dòng sản phẩm mới CG series, được định vị ở phân khúc cao cấp hơn dòng sản phẩm GB series đã được review cách đây chưa lâu. Với các tính năng tương đối hấp dẫn như: Công suất thực 850W, Active PFC, tụ chính Nhật Bản, cam kết hiệu suất đạt 87%, trang bị mạch DC to DC giúp nâng cao hiệu quả sử dụng điện năng. Và nhất là phía MIK công bố bộ nguồn CG series sẽ đạt tiêu chuẩn ATX3.0/PCIe5.0 tức là sẽ phải vượt qua thử nghiệm 200% công suất thực (power excursion)

I-Hộp và Phụ kiện:
Hộp của C850G có kích thước nhỏ nhắn, tông màu xám tương tự dòng sản phẩm CB series, Các thông số về điện áp và số lượng đầu cắm kết nối được in phía sau của hộp

Phụ kiện kèm theo C850G gồm có: 1x cáp nguồn EU type, 4 ốc bắt nguồn và 4x dây rút (zip tie)

II-PSU
1-Bên ngoài:
C850G có kích thước ATX tiêu chuẩn, sơn tĩnh điện màu đen. Các tem cách điệu ở mặt hông đem lại sự chỉnh chu cho sản phẩm hơn. Nguồn sử dụng quạt làm mát 120mm

Công suất danh định: 850W, Single rail 12V@850W, Active PFC 100-240Vac

Hệ thống cáp dạng bẹ đen mềm gồm có:
 -1x 24pin Mainboard: 65cm
 -2x 4+4pin ATX12V: 70cm
 -4x 6+2pin PCIe: 60cm + 15cm
 -1x 12VHPWR/PCI5.0: 70cm
 -6x SATA: 50cm + 15cm + 15cm + 15cm
 -2x ATA: 50cm + 15cm + 15cm + 15cm

2-Bên trong:
MIK tiếp tục chọn chọn KT comstars làm nhà sản xuất(OEM) cho dòng sản phẩm C850G. Sử dụng các công nghệ tương tự dòng CB series như Active PFC + Dual Forward + Chỉnh lưu đồng bộ(SR) + DC to DC cho đường 5V & 3.3V. Tuy nhiên phần thiết kế mạch in sử dụng PCB 2 lớp FR4 đem lại khả năng chịu tải và giảm nhiễu EMI tốt hơn

Bảng linh kiện được sử dụng trên C850G:

Ngay cửa ngõ AC đầu vào là tầng lọc nhiễu EMI gồm 2 lớp và được trang bị thêm thành phần chống sét MOV.

Diode cầu GBU15V08(15A) được làm mát trực tiếp từ quạt thông qua 1 phiến tản nhiệt nhôm , Kế đến là cặp tụ chính 390uF/420VDC đến từ thương hiệu nhật bản Toshin Kogyo mắc song song, đem lại mức điện dung tổng lên tời 780uF/420VDC

Tầng PFC sử dụng 1 Mosfet Wayon WML28N60C4(28A) , và tầng PWM sử dụng 1 cặp Mosfet Fuxin FXN28N50F(28A). Cả 2 tầng chịu sự điều khiển từ IC dao động Champion CM6800UX

Ở khu vực chỉnh lưu đồng bộ cho đường 12V duy nhất trên C850G là tổ hợp 4 Mosfet NCE NCEP040N85M (4x 140A) đem lại hiệu suất hoạt động cao hơn thiết kế sử dụng các  Diode xung(Schottky diodes) truyền thống

Đường 5V và 3.3V được tạo ra từ 2 khối mạch VRM/DC to DC. Thay vì cùng nằm trên một bo module nhỏ như phiên bản C750B, thì sẽ được hàn trực tiếp ở mặt trên(Top side) của bo mạch chính. Sử dụng giải pháp IC NDP23B0QB  tích hợp cả dao động điều khiển lẫn mosfet, giúp giảm chi phí sản xuất khi không cần quá nhiều linh kiện phụ trợ. Tuy nhiên giới hạn công suất của IC này chỉ là 18A peak vừa đủ cho các cấu hình máy tính tầm trung đổ lại 

IC giám sát hoạt động là loại YW 8313F cung cấp 3 chế độ bảo vệ cơ bản OVP,UVP,SCP, nằm sát phía dưới có sẵn vị trí lắp thành phần khởi động mềm ( NTC + Relay) giúp giảm dòng khởi động mà không ảnh hưởng tới nhiệt độ và hiệu suất tổng thể của bộ nguồn. Đường cấp trước 5Vsb được tạo ra từ IC combo EST 3017MS, các tụ hóa lọc DC ngõ ra đều đến từ hãng YHKCON

Phần mạch in của C850G tương đối sạch do bo mạch được phủ 1 lớp keo chống ẩm, các mối hàn sáng bóng và không có vết hàn hay chân linh kiện thừa nào

III-Thử nghiệm:
1-Load testing ( Thử tải):

Nhằm đơn giản hóa bảng số liệu điện áp theo Test plan ATX3.0 từ Intel. Đường 12V nay sẽ chỉ còn 2 đường điện trong phép tử tải đối với nguồn Single rail
12V1: Mọi thứ tiêu thụ đường 12V trừ CPU (MB,PCIe,...)
12V2: Chỉ mình CPU (ATX12V/ESP12V)

C850G hoàn thành tốt các mức tải với điện áp dao động trong chuẩn ATX yêu cầu. Do có trang bị tính năng DC to DC vì thế ở 2 mức tải không đồng đều. Điện áp vẫn giữ vững trong tiêu chuẩn. Hiệu suất tối đa đạt tới gần 91%@230Vac cao hơn phiên bản C750B khoảng 1% và đúng như những gì phía MIK cam kết ( trên 87%)

2-Inrush current testing ( Dòng khởi động):

Dòng khởi động của C850G tương đối cao trong phân khúc khi đạt khoảng 180A, Vì layout đã có làm sẵn vị trí lắp linh kiện, MIK hoàn toàn có thể cải thiện điều này với việc trang bị NTC có nội trở cao hơn (5ohm) kèm theo 1 rờ-le ngắt kết nối NTC sau khi nguồn khởi động xong. 

3-Sync Transient response test ( Tải biến thiên): 

*Capacitance load: 3300uF per rails (12V1, 12V2, 5V, 3.3V, 5Vsb) 

  Slew rate: 12V: 5A/uS(12VHPWR) hoặc 2.5A/uS. 5V & 3.3V: 1A/uS . 5Vsb: 0.1A  ( theo intel ATX3.0 )

Khá bất ngờ khi C850G vượt qua các bước thử nghiệm tải biến thiên, mà chỉ bị rơi lại ở mục thử nghiệm đường 3.3V khi điện áp vọt lên tiêu chuẩn ATX khoảng 0.06V.
Ngay cả với 4 bước thử tải mô phỏng dòng peak tức thời của card đồ họa (Power excursion). Mà không gặp phải bất cứ sự cố nào. điều mà lần đầu f14lab thử nghiệm trên 1 bộ nguồn trang bị công nghệ "bình dân" dual forward, thay vì cộng hưởng LLC cao cấp hơn như đại đa số các bộ nguồn đạt chuẩn ATX3.0/PCIe5.0 hiện nay

-50Hz Low load:

-50Hz High load:

-10kHz Low load:

-10kHz High load:

120% Load:

160% Load:

180% Load:

200% Load:

4-Ripple & Noise ( Nhiễu AC cao tần):

Ripple & Noise của C850G đạt mức khá khi tối đa gần 50mV cho cả 3 đường điện chính

5-Hold-up time ( thời gian lưu điện)

C850G dễ dàng đạt tiêu chuẩn ATX về thời gian lưu điện với 19,1/16mS

6-Protection features (Các chế độ bảo vệ):

Các chế độ bảo vệ trên C850G hoạt động tốt và nhạy.Trừ 2 đường điện 5V và 3.3V rơi xuống dưới chuẩn ATX, khi chế độ OCP được tính dựa vào khả năng chịu đựng tối đa của IC tích hợp để kích bảo vệ trước khi IC bị hư hỏng. thay vì sử dụng Rshunt để thiết lập định mức cắt dòng
Ở phần thử nghiệm bảo vệ quá tải OPP. C850G tải tới hơn 170% công suất thực mới ngắt do nsx tính toán tới việc bộ nguồn không được phép sập nguồn khi đang thử nghiệm các bước tải mô phỏng dòng peak của card đồ họa (power excursion). Tuy nhiên việc để tới 170% là hơi cao. tầm khoảng 130-150% sẽ tốt hơn về độ bền của linh kiện

7-Earth leak current ( Kiểm tra dòng rò): 

Đối với các thiết bị IT (Class I ) mà nguồn máy tính ATX là một trong số đó thì theo tiêu chuẩn an toàn yêu cầu dòng rò không được vượt quá 3,5mA tại áp cấp vào bằng ~110% điện áp tối đa mà nhà sản xuất công bố PSU có thể hoạt động đc ( ở đây sẽ là 110% của 240VAC tương đương khoảng 264VAC@60Hz). Để kiểm tra vấn đề này chúng ta sẽ sử dụng thiết bị chuyên dụng  GW instek GLC-9000  để đo dòng rò

8- Nhiệt độ làm việc và tốc độ quạt làm mát ( Temp & Fan RPM):

Điều kiện môi trường : 38-45°C

biểu đồ tốc độ quạt làm mát của C850G tăng tuyến tính theo nhiệt độ  từ 800RPM cho tới khi đạt tốc độ tối đa khoảng 1900RPM. Điều này giúp PSU hoạt động êm hơn đôi chút, bù lại qua ảnh nhiệt chúng ta có thể thấy khu vực nóng nhất trên PSU là khu vực biến áp chính với nhiệt độ trên dưới 90oC. MIK cần nâng cấp quạt tản nhiệt công suất lớn hơn nhằm hạ bớt nhiệt khối linh kiện công suất phía dưới 

C850G sử dụng quạt làm mát BDH12025S có tốc độ tối đa khoảng 1800RPM

IV-Kết luận:

MIK C850G 850W có chất lượng điện áp và chất lượng linh kiện khá tốt. Hiệu suất đạt tới 90,62%@230Vac. Bộ nguồn vượt qua tất cả các bước thử nghiệm chuẩn ATX3.0/PCIe5.0 như những gì phía MIK cam kết. Hệ thống cáp đa dạng với 2 đầu cấp nguồn CPU riêng biệt với độ dài tương thích tốt với các thùng máy có kích thước lớn. 

C850G là sự lựa chọn cho các cấu hình máy tính tầm trung sử dụng 01 VGA có công suất <280W

Ưu điểm:
-Chất lượng linh kiện khá (Tụ chính nhật bản)

-Chất lượng điện áp khá

-Hiệu suất cao đạt tới 90,62%@230Vac

-DC to DC (VRMs)
-Đạt các thử nghiệm chuẩn ATX3.0/PCIe5.0 ( 200% power excursion)

Khuyết điểm:

-Cần cải thiện tầng PFC để chạy dải rộng(fullrange) ổn định hơn
-Hoạt động nóng

-Xin cảm ơn MIK technologies đã cung cấp sản phẩm review!